高密度高导电性ITO靶研制

稀有金属材料与工程, 2006, 35(7): 1021-1024.

高密度高导电性ITO靶研制

张维佳 ^1, , 王天民 ^2, , 崔敏 ^3, , 金飞 ^4, , 丁照崇 ^5, , 阎兰琴 ^6,

1.北京航空航天大学,北京,100083

2.北京航空航天大学,北京,100083

3.北京航空航天大学,北京,100083

4.北京航空航天大学,北京,100083

5.北京航空航天大学,北京,100083

6.北京航空航天大学,北京,100083

基金项目: 国防科工委预研科研基金(413100202)

关键词： ITO , 溅射靶 , 烧结剂 , 掺杂

Manufacture of ITO Target with High Density and High Conductivity

采用化学共沉淀法掺金属Nb,Ta和P到ITO材料中可使ITO(Indium Tin Oxide)靶相对密度达到97%～99%,并且靶电阻率小于3.0×10-4Ω·cm,其质量损失率小于4.0%.采用直接掺杂法将TiO2纳米粉末掺入到纳米ITO粉末中可使ITO靶相对密度达到95%以上.当烧结温度为1500℃时,掺Nb,Ta,P的ITO靶电阻率稍小于纯ITO靶的电阻率.

参考文献

[1]	张维佳,王天民,糜碧,洪轲.纳米ITO粉末及高密度ITO靶制备工艺的研究现状[J].稀有金属材料与工程,2004(05):449-453.
[2]	Kentaro Utsumi .Toshiya Takahara[P].US 6033620,2000.
[3]	Nicolas Nadaud;Monique Nanot;Philippe Boch .[J].Journal of the American Ceramic Society,1994,77:843.
[4]	Toru Saito;Yoshikazu Kumahara .[P].US 6106681,2000.
[5]	Gilbert Rancoule et al.[P].US 5433901,1994.
[6]	Muraoka M.;Sawada Y.;Matsushita J.;Suzuki M. .Sintering of tin-doped indium oxide (Indium-Tin-Oxide, ITO) with Bi2O3 additive[J].Journal of Materials Science,1998(23):5621-5624.
[7]	张维佳,王天民,吴小文,钟立志,崔敏.纳米ITO粉末制备工艺优化设计[J].稀有金属材料与工程,2005(09):1352-1356.
[8]	张维佳,王天民.ITO前驱物氢氧化铟In（OH）3理论研究[J].物理学报,2004(06):1923-1929.

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