以激光为热源, 以SiC纳米颗粒材料为前驱体, 用激光照射SiC纳米颗粒原位生长晶须. 结果表明: 由于激光能量输出的瞬时特性, SiC纳米颗粒受到激光的照射可瞬时生成SiC晶须. 随着激光功率的提高, 晶须的直径从纳米级增大到微米级. 由于在激光光斑内能量呈高斯分布, 光斑内不同区域的SiC颗粒的温度不同, 致使生成的晶须形态在不同的区域分别呈现为团絮状、 网状和棒状等. X射线衍射分析表明, 激光照射SiC纳米颗粒原位生长的晶须具有很高的纯度.
参考文献
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