本文介绍了C波段宽频带低温低噪声放大器的研制.放大器采用的是Avago一款赝高电子迁移率晶体管,用不对称十字型结微带线的输入匹配网络进行宽频带的匹配,采用源极微带线负反馈和输出端串联电阻来提高稳定性.本文介绍的宽频带低温低噪声放大器工作频段为5～6.5GHz,在常温下测量增益为30.7±1dB,输入输出反射损耗均小于-10dB,噪声系数小于1.6dB.在4K的条件下测试,调整放大器的偏置电压后,其增益能达到34.3士1.3dB.
参考文献
| [1] | Risacher C.;Belitsky V. .GaAs HEMT low-noise cryogenic amplifiers from C-band to X-band with 0.7-K/GHz noise temperature[J].IEEE microwave and wireless components letters: A publication of the IEEE Microwave Theory and Techniques Society,2003(3):96-98. |
| [2] | Padin S.;Ortiz G.G. .A cooled 1-2 GHz balanced HEMT amplifier[J].IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques,1991(7):1239-1243. |
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