采用反应磁控溅射加真空退火分别在玻璃和Si(100)基底上制备氧化钒薄膜,利用X射线衍射和原子力显微镜分析其物相和表面形貌.结果表明:氧气体积分数低于15%时,玻璃上薄膜为低价钒氧化物,Si(100)上薄膜为V2O5(001)织构和V2O3(104)织构,高于20%时两基底上薄膜均为V2O5;玻璃上V2O5薄膜500℃下退火3 h生成VO2,退火后薄膜粗糙度明显下降;Si(100)上V2O5薄膜500℃下退火2 h生成V2O3(104)织构,退火后薄膜粗糙度变化不大.
参考文献
[1] | 刘艳辉,孟亮,张秀娟.薄膜生长基底对FeS2晶体取向的影响[J].材料研究学报,2004(04):373-379. |
[2] | 袁宁一,李金华,林成鲁.氧化钒薄膜的结构、性能及制备技术的相关性[J].功能材料,2001(06):572-575. |
[3] | Kivaisi R.T.;Samiji M. .Optical and electrical properties of vanadium dioxide films prepared under optimized RF sputtering conditions[J].Solar Energy Materials and Solar Cells: An International Journal Devoted to Photovoltaic, Photothermal, and Photochemical Solar Energy Conversion,1999(2):141-152. |
[4] | 王银玲,李美成,赵连城.磁控溅射氧化钒薄膜的相成分及电阻-温度特性[J].稀有金属材料与工程,2005(07):1077-1080. |
[5] | 尚东,林理彬,何捷,王静,卢勇.特型二氧化钒薄膜的制备及电阻温度系数的研究[J].四川大学学报(自然科学版),2005(03):523-527. |
[6] | 魏劲松,赵康,谷臣清.V2O5熔体的微量氧化还原研究[J].无机材料学报,2001(04):697-702. |
[7] | Mark A Richardson;John A Coath .[J].Optics & Laser Technology,1999,30(02):137. |
[8] | 潘金生;仝健民;田民波.材料科学基础[M].北京:清华大学出版社,2004:415. |
[9] | 叶大伦;胡建华.实用无机物热力学数据手册[M].Bcijing:Metallurgical Industry Press,2002:1-5,1821,1807,1115. |
[10] | 潘梦霄,曹兴忠,李养贤,王宝义,薛德胜,马创新,周春兰,魏龙.氧化钒薄膜微观结构的研究[J].物理学报,2004(06):1956-1960. |
[11] | 王静,何捷,刘中华.关于退火温度对VO2薄膜制备及其电学性质影响的研究[J].四川大学学报(自然科学版),2006(02):365-370. |
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