采用石墨电极制备多孔硅工艺研究

硅酸盐通报 , 2013, 32(7): 1394-1396.

采用石墨电极制备多孔硅工艺研究

李进 ^1, , 庞骏敏 ^2, , 高忙忙 ^3, , 梁森 ^4, , 王晓芳 ^5, , 薛子文 ^6,

1.宁夏大学宁夏光伏材料重点实验室,银川750021

2.宁夏大学宁夏光伏材料重点实验室,银川750021

3.宁夏大学宁夏光伏材料重点实验室,银川750021

4.宁夏大学宁夏光伏材料重点实验室,银川750021

5.宁夏大学宁夏光伏材料重点实验室,银川750021

6.宁夏大学宁夏光伏材料重点实验室,银川750021

基金项目: 宁夏自治区2012科技支撑计划项目

关键词：石墨电极 , 多孔硅 , 轮廓均方根偏差 , 颗粒平均直径 , 电化学方法 , 碳原子剥离

Study on Porous Silicon Prepared by Using Graphite Electrode

LI Jin ^1, , PANG Jun-min ^2, , GAO Mang-mang ^3, , LIANG Sen ^4, , WANG Xiao-fang ^5, , XUE Zi-wen ^6,

1.宁夏大学宁夏光伏材料重点实验室,银川750021

2.宁夏大学宁夏光伏材料重点实验室,银川750021

3.宁夏大学宁夏光伏材料重点实验室,银川750021

4.宁夏大学宁夏光伏材料重点实验室,银川750021

5.宁夏大学宁夏光伏材料重点实验室,银川750021

6.宁夏大学宁夏光伏材料重点实验室,银川750021

Keywords： graphite electrode , porous silicon , contour root-mean-square deviation , electrochemical methods , peel of carbon atoms ,

采用石墨电极作为阴极,通过向腐蚀溶液中添加适量65％(质量分数wt％,下同)浓硝酸,以电化学腐蚀法在单晶硅片表面制备出多孔硅微结构.实验表明,随着腐蚀时间的增加,衡量多孔硅表面形貌的粗糙度和颗粒度指标值呈周期性增减变化;在电流密度为10 mA/cm2的阳极腐蚀参数下,将单晶硅片腐蚀1875秒制备的多孔硅样品的粗糙度和颗粒度值相对较大,原子力显微镜(AFM)和扫描电子显微镜(SEM)检测结果表明其硅柱最大高度、颗粒最大直径和平均直径分别达到470 nm、1693.590nm、489.954nm.

参考文献

[1]	王海燕,卢景霄,郜晓勇,孙晓峰,段启亮.多孔硅形成机理的逆结晶学模型[J].人工晶体学报,2005(01):178-182.
[2]	李平,王煜,冯国进,郑春弟,赵利,朱京涛.超短激光脉冲对硅表面微构造的研究[J].中国激光,2006(12):1688-1691.
[3]	门海宁,程光华,孙传东.飞秒激光作用下的硅表面微结构及发光特性[J].强激光与粒子束,2006(07):1081-1084.
[4]	刘邦武,夏洋,刘杰,李超波.多晶黑硅的制备及其组织性能[J].北京科技大学学报,2011(05):619-622.
[5]	吴现成,闫大为,徐大印,甄聪棉.石墨电极制备多孔硅的蓝光发射研究[J].烟台大学学报(自然科学与工程版),2008(02):91-93.

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