原位合成MoSi2-SiC复合材料700℃的氧化行为

材料研究学报, 2015, 29(8): 561-568.

原位合成MoSi2-SiC复合材料700℃的氧化行为

1.北京科技大学新金属材料国家重点实验室北京100083

2.北京科技大学新金属材料国家重点实验室北京100083

3.北京科技大学新金属材料国家重点实验室北京100083

基金项目: 国家自然科学基金50871012和国家重点基础研究发展计划2011CB605502资助项目.Supported by National Natural Science Foundation of China No.50871012 and National Basic Research Program of China No.2011CB605502.

关键词：材料失效与保护 , MoSi2-SiC复合材料 , 原位合成 , 低温氧化行为 , pest现象

Oxidation Behavior of in-situ Synthesized MoSi2-SiC Composites at 700℃

Keywords： materials failure and protection , MoSi2-SiC composite , synthesized in situ , oxidation behavior at low temperature , pest

研究了不同SiC体积分数原位合成MoSi2-SiC复合材料在700℃空气中1000h的长期氧化行为.结果表明:复合材料氧化1000 h后,均未发生pest现象.复合材料的氧化抗力明显好于单一MoSi2,原位合成复合材料的氧化抗力好于传统的热压商用MoSi2粉末和SiC粉末混合物制备的复合材料(外加复合材料).复合材料氧化膜相组成仅为非晶SiO2,材料的氧化过程主要是O2与MoSi2的作用,SiC未发生氧化.材料在700℃下仍发生硅、钼的同时氧化,因MoO3的挥发较快没有晶须形成,因而在材料表面快速形成一薄层连续、致密的非晶SiO2保护膜,使材料表现出优异的长期抗氧化性.

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