TC4/QAl10-3-1.5扩散接头残余应力的有限元数值模拟

稀有金属材料与工程, 2007, 36(11): 1938-1941.

TC4/QAl10-3-1.5扩散接头残余应力的有限元数值模拟

宋敏霞 ^1, , 赵熹华 ^2, , 赵涣凌 ^3, , 郭伟 ^4, , 冯吉才 ^5,

1.吉林大学,吉林,长春,130022

2.吉林大学,吉林,长春,130022

3.吉林大学,吉林,长春,130022

4.吉林大学,吉林,长春,130022

5.哈尔滨工业大学,现代焊接生产技术国家重点实验室,黑龙江,哈尔滨,150001

基金项目: 现代焊接技术国家重点实验室资助项目(04005) 国家自然科学基金(50375065)

关键词：扩散连接 , TC4 , QAl10-3-1.5 , 有限元 , 残余应力 , Ni中间层

Finite Element Modeling of Residual Stresses in the Diffusion Bonding Joints of TC4/QAl10-3-1.5

采用有限元分析软件ANSYS对TC4与QAl10-3-1.5直接扩散连接和填加Ni中间层扩散连接接头残余应力分布进行了数值模拟.结果表明,对接头强度有害的轴向拉应力σy的最大值出现在靠近接头边缘的界面脆性相及焊缝TC4侧的狭小区域内,且拉应力σy随着向中心轴的靠近而迅速减小并逐渐转为压应力,因此该区域是接头的薄弱区;采用Ni中间层时,应力分布梯度相对缓和一些,最大残余应力出现在中间层Ni与TC4之间的金属间化合物NiTi、Ni3Ti上;而随着中间层厚度的增加,接头残余应力也相应的增大.中间层厚仅存在一个最佳值.

参考文献

[1]	He Peng;Zhang Jiuhai;Zhou Ronglin et al.[J].Materials Characterization,1999,43(05):287.
[2]	Yu H Y;Sanday S C;Rath B B .[J].Journal of the American Ceramic Society,1993,76(07):1661.
[3]	Dilermando Traverssa;Maurizio Ferante;Gert den Ouden .[J].Materials Science and Engineering A,2002,337(1-2):287.
[4]	Zhang Kaifeng;Han Wenbo;Wu Wei et al.[J].Journal of Materials Science and Technology,2003,19(zk):46.
[5]	Yildiz E;Dost S;Yildiz M .A numerical simulation study for the effect of magnetic fields in liquid phase diffusion growth of SiGe single crystals[J].Journal of Crystal Growth,2006(2):497-511.
[6]	Ren J W;Li Y J;Feng T .[J].Materials Letters,2002,56(05):647.
[7]	Chen S D;Soh A K;Ke F J .[J].Scripta Materialia,2005,52:1135.
[8]	常保华,史耀武.中间层厚度对陶瓷扩散焊接头应力分布影响的数值分析[J].航空材料学报,1997(02):40.

上一张下一张

计量

下载量()
访问量()

作者相关

文章评分

您的评分：
1

0%
2

0%
3

0%
4

0%
5

0%

材料期刊网

TC4/QAl10-3-1.5扩散接头残余应力的有限元数值模拟

Finite Element Modeling of Residual Stresses in the Diffusion Bonding Joints of TC4/QAl10-3-1.5

参考文献