选择相变存储器作为主题,通过标准的检索方式,使用关键词并结合国际专利分类号,对中国专利检索数据库中的中国发明专利申请进行了全面的检索,得到相关的发明专利申请,对上述数据进行细致的手工筛选分类,并作了深入的研究分析,揭示了中国相变存储器领域内发明专利申请的当前状况和未来的发展趋势.
参考文献
| [1] | 汪昌州,翟继卫,姚熹.基于相变存储器的相变存储材料的研究进展[J].材料导报,2009(15):96-102. |
| [2] | 向宏酉 .硫属相变存储器CRAM的存储元结构与驱动电路设计[D].武汉理工大学,2007. |
| [3] | 刘文强 .用于新型相变存储器的锗锑碲薄膜的结构和电学性质[D].南京大学,2011. |
| [4] | 李娟 .硫属相变存储器CRAM的存储元结构设计及优化[D].武汉理工大学,2009. |
| [5] | 夏吉林 .相变存储器存储单元设计与关键制备工艺[D].中国科学院上海微系统与信息技术研究所,2006. |
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