运用第一性原理密度泛函理论(DFT)计算了不同交换关联势下单斜晶系β-Ga2O3的总能量、晶格常数、总态密度、分波态密度及能带结构.理论计算结果表明:单斜晶系β-Ga2O3在局域密度近似(LDA)和广义梯度近似(GGA)下的晶格常数和带隙与实验值基本相符,其中LDA近似得到的晶格常数与实验值更接近;β-Ga2O3比六方晶系结构的α-Ga2O3更加稳定,但带隙比α-Ga2O3略小;Cr掺杂导致β-Ga2O3禁带宽度变小,费米能级处的态密度不为零,即变为半金属.
参考文献
| [1] | 张俊刚,夏长泰,吴锋,裴广庆,徐军,邓群,徐悟生,史宏生.β-Ga2O3单晶浮区法生长及其光学性质[J].功能材料,2006(03):358-360,363. |
| [2] | 张俊刚,夏长泰,吴锋,裴广庆,徐军.透明导电氧化物β-Ga2O3 单晶生长的研究进展[J].人工晶体学报,2005(04):676-681. |
| [3] | 戴江南,王立,方文卿,蒲勇,李璠,郑畅达,刘卫华,江风益.常压MOCVD生长Ga2O3薄膜及其分析[J].发光学报,2006(03):417-420. |
| [4] | 张杰,乔自文,林崔昆,林君.β-Ga2O3：Dy3+ 纳米棒束的制备和光致发光性质[J].中国稀土学报,2005(05):572-575. |
| [5] | Albanesi E A;Sferco S J;Lefebvre I et al.Electronic structure of binary and ternary Ga or As oxides[J].Physical Review B:Condensed Matter,1992,46(20):13260. |
| [6] | Yamaguchi K .First principles study on electronic structure of beta-Ga2O3[J].Solid State Communications,2004(12):739-744. |
| [7] | Hajnal Z;Miro' J;Kiss G et al.Role of oxygen vacancy defect states in the n-type conduction of β-Ga2O3[J].Journal of Applied Physics,1999,86:3792. |
| [8] | 姜振益,许小红,武海顺,张富强,金志浩.SiC多型体几何结构与电子结构研究[J].物理学报,2002(07):1586-1590. |
| [9] | 马新国,唐超群,黄金球,胡连峰,薛霞,周文斌.锐钛矿型TiO2（101）面原子几何及弛豫结构的第一性原理计算[J].物理学报,2006(08):4208-4213. |
| [10] | 马丙现;贾瑜;范希庆 .BN(110)弛豫表面电子结构的理论研究[J].物理学报,1998,47:970. |
| [11] | 肖奇,邱冠周,胡岳华,王淀佐.FeS2（100）表面原子几何与电子结构的理论研究[J].物理学报,2002(09):2133-2138. |
| [12] | Huang HC.;de la Rubia TD.;Gilmer GH. .An atomistic simulator for thin film deposition in three dimensions[J].Journal of Applied Physics,1998(7):3636-3649. |
| [13] | Sinha G;Adhikary K;Chaudhuri S .Sol-gel phase pure α-Ga2O3 nanocrystalline thin film and its optical properties[J].Journal of Crystal Growth,2005,276:204. |
| [14] | Bermudez VM .The structure of low-index surfaces of beta-Ga2O3[J].Chemical Physics: A Journal Devoted to Experimental and Theoretical Research Involving Problems of Both a Chemical and Physical Nature,2006(2-3):193-203. |
上一张
下一张
上一张
下一张
计量
- 下载量()
- 访问量()
文章评分
- 您的评分：
-
10%
-
20%
-
30%
-
40%
-
50%