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采用电子束蒸发法在不同衬底温度下,150℃、200℃、250℃和300℃,制备了ZnS薄膜;用X射线衍射仪、原子力显微镜、膜厚仪和紫外-可见光-近红外分光光度计分别表征ZnS薄膜的晶体结构、表面形貌和光学特性;并分析了不同衬底温度对薄膜的结构和光学特性的影响.结果表明:在硅衬底上制备的ZnS都为多晶薄膜,具有闪锌矿β-ZnS结构;随衬底温度升高呈(111)晶面高度择优取向,平均晶粒尺寸有所增大,内应力、位错密度、折射率和吸收系数有所减小,禁带宽度随之增大;衬底温度为300℃时制备的薄膜表面均匀致密,呈现较优的结构和光学性能.

参考文献

[1] 于威,高卫,吴艳华,滕晓云,傅广生.空气退火对ZnS薄膜结构和光学特性的影响[J].人工晶体学报,2012(01):59-63.
[2] 周英智,刘峥,马肃.在脉冲纳米锌晶种上水热合成ZnS薄膜及其光学性能研究[J].人工晶体学报,2011(05):1271-1275.
[3] Gayou, VL;Salazar-Hernandez, B;Constantino, ME;Andres, ER;Diaz, T;Macuil, RD;Lopez, MR .Structural studies of ZnS thin films grown on GaAs by RF magnetron sputtering[J].Vacuum: Technology Applications & Ion Physics: The International Journal & Abstracting Service for Vacuum Science & Technology,2010(10):1191-1194.
[4] Subbaiah YPV;Prathap P;Reddy KTR .Structural, electrical and optical properties of ZnS films deposited by close-spaced evaporation[J].Applied Surface Science: A Journal Devoted to the Properties of Interfaces in Relation to the Synthesis and Behaviour of Materials,2006(5):2409-2415.
[5] 黄红梁,程树英,黄碧华.基片温度对电子束蒸发的ZnS薄膜性能的影响[J].光电子·激光,2009(03):355-358.
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