Si表面吸附GaN的第一性原理研究

材料导报, 2009, 23(16): 71-77.

Si表面吸附GaN的第一性原理研究

李炜 ^1, , 陈俊芳 ^2, , 王腾 ^3, , 张洪宾 ^4, , 郭超峰 ^5,

1.华南师范大学物理与电信工程学院,广州,510631

2.华南师范大学物理与电信工程学院,广州,510631

3.华南师范大学计算机学院,广州,510631

4.华南师范大学物理与电信工程学院,广州,510631

5.华南师范大学物理与电信工程学院,广州,510631

基金项目: 国家自然科学基金(10575039)

关键词： Si , GaN , 吸附 , 第一性原理

First-principle Study on Adsorption of GaN on Surface of Si

为了更好地了解Si表面对CaN的吸附,利用基于密度泛函理论的第一性原理平面波赝势方法,计算了Si(100)和Si(111)弛豫表面分别吸附GaN的电子结构、吸附能大小以及其态密度图.计算结果表明,相对于Si(111)表面,Si(100)表面更容易吸附GaN,在同等实验条件下,在Si(100)表面应更容易沉积GaN薄膜.采用ECR-MOPECVD工艺,于低温下在Si(100)衬底上沉积得到了GaN薄膜,XRD谱图表明该薄膜是一种晶体结构和无定形结构的混合结构.

参考文献

[1]	陈光华.新型电子薄膜材料[M].北京:化学工业出版社,2002:241.
[2]	谢长坤,徐法强,邓锐,徐彭寿,刘凤琴,K.Yibulaxin.GaN（0001）表面的电子结构研究[J].物理学报,2002(11):2606-2611.
[3]	Dadgar A;Poschenriender M;Blasing J et al.MOVPE growth of CaN on Si(lll) substrates[J].Journal of Crystal Growth,2003,248:556.
[4]	Yan JF;Guo LW;Zhang J;Zhu XL;Ding GJ;Xing ZG;Zhou ZT;Pei XJ;Wang Y;Jia HQ .Characteristics of the improved a-plane GaN films grown on r-plane sapphire with two-step A1N buffer layer[J].Journal of Crystal Growth,2007(1):35-39.
[5]	Hwang Jun-Dar;Yang Gwo-Huei .Activation of Mg-doped P-GaN by using two-step annealing[J].Applied Surface Science,2007,253:4694.
[6]	Mynbaeva M;Simikova A;Tregubova A .HVPE GaN growth on porous SiC with closed surface porosity[J].Journal of Crystal Growth,2007,303:472.
[7]	郭建云,郑广,何开华,陈敬中.Al,Mg掺杂GaN电子结构及光学性质的第一性原理研究[J].物理学报,2008(06):3740-3746.
[8]	沈耀文,康俊勇.GaN中与C和O有关的杂质能级第一性原理计算[J].物理学报,2002(03):645-648.
[9]	赵文杰,雷雪玲,闫玉丽,杨致,罗有华.密度泛函理论研究Zrn（n=2-16）团簇的基态结构及其稳定性[J].物理学报,2007(09):5209-5215.
[10]	Matoussi A;Ben Nasr F;Salh R .Morphological,structural and optical properties of GaN grown on porous silicon/Si (100) substrate[J].Materials Letters,2008,62:515.
[11]	Zhang J X .Structural and photoluminescence study of thin GaN film grown on silicon substrate by metalorganic chemical vapor deposition[J].Thin Solid Films,2007,515:4397.
[12]	Weng X;Raghavan S;Acord JD;Jain A;Dickey EC;Redwing JM .Evolution of threading dislocations in MOCVD-grown GaN films on (111) Si substrates[J].Journal of Crystal Growth,2007(1):217-222.
[13]	Akinori Ubukata;Kazutada Ikenaga;Nakao Akutsu;Akira Yamaguchi;Koh Matsumoto;Toshiaki Yamazaki;Takashi Egawa .GaN growth on 150-mm-diameter (111) Si substrates[J].Journal of Crystal Growth,2007(0):198-201.

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