Si基β-SiC薄膜外延生长技术研究

功能材料, 2001, 32(2): 187-189.

1.西安电子科技大学微电子研究所,

2.西安电子科技大学微电子研究所,

3.西安电子科技大学微电子研究所,

4.西安电子科技大学微电子研究所,

基金项目: 国家自然科学基金(69776023)

Research on Growth Technology of β-SiC Thin Films Epitaxial Grown on Si Substrates

采用SiH4-C3H8-H2气体反应体系,通过常压化学气相淀积(APCVD)工艺在P型Si(100)衬底上进行了β-SiC薄膜异质外延生长.利用俄歇电子能谱、SEM及X射线衍射能谱进行了生长薄膜微结构分析.提出并讨论了外延生长β-SiC薄膜的最佳工艺条件及其生长机理.

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