高压低温制备硅材料的性能研究

功能材料, 2003, 34(2): 170-172.

高压低温制备硅材料的性能研究

廖华 ^1, , 林理彬 ^2, , 刘强 ^3, , 刘祖明 ^4, , 陈庭金 ^5,

1.四川大学,物理系,辐射物理及技术国家教育部重点实验室,四川,成都,610064;云南师范大学,太阳能研究所,云南,昆明,650092

2.四川大学,物理系,辐射物理及技术国家教育部重点实验室,四川,成都,610064

3.四川大学,物理系,辐射物理及技术国家教育部重点实验室,四川,成都,610064

4.云南师范大学,太阳能研究所,云南,昆明,650092

5.云南师范大学,太阳能研究所,云南,昆明,650092

基金项目: 云南省院省校合作项目(99YSJ01)

关键词：陶瓷硅材料 , 性能 , 高压 , 低温

Study on performance of silicon material prepared by high pressure low temperature

研究了用高压低温法制备的硅材料的性能.进行了不同的温度条件下制备陶瓷硅材料的实验研究,获得了最佳的制备条件.用XRD分析了材料的物相;阿基米德法测量了制备材料的密度;对材料的电阻率和硬度进行了测量.结果表明:用高压低温方法可以制备出无氧化相存在的陶瓷硅材料,其最佳的烧结温度为600℃;样品具有较好的机械强度和硬度,获得了适于制备多晶硅薄膜的衬底材料.

参考文献

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