报道了一种制备Sn—SnOx湿敏薄膜的新工艺(VETO).首先在1mPa的真空下蒸发纯金属Sn质量分数999mg·g-1,衬底(Al2O3陶瓷基片)温度控制在150～250℃;蒸发的Sn膜在空气中缓慢氧化,即可获得湿度敏感的Sn—SnOx薄膜.利用XRD和SEM分析了膜的晶体结构和表面形貌环境湿度RH从11%变到97%肘,膜阻抗变化约三个量级,膜电导是电子电导和离子电导的混合.在低温区电子电导是主要的,在高温区离子电导占优势.
A new method (VETO) to prepare humidity sensitive film of Sn-SnOx has been reported.Firstly, pure tin (mass fraction 999mg/g) was evaporated on A12O3 ceramic substrates kept at 150～250℃in a pressure of 1 mPa. The humidity sensitive films could be got afte
参考文献
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| [2] | KangWP,XuJF,LalevicBetalSensorsandActuators,1987,12 |
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