采用自制纳米三氧化钨粉末为原料,以淬火工艺制得纳米基三氧化钨陶瓷.通过I-V特性测量、显微结构和相结构分析,研究了在不同的温度下淬火三氧化钨陶瓷的伏安特性,结果表明较低温度淬火可以使样品的非线性系数提高到10.93,但随着淬火温度(开始淬火温度)的提高,样品的非线性系数急剧下降,当高于900℃淬火时,样品的电学行为转变为线性,非线性系数约为1.对其进行阻抗谱测量,结合相结构与电学行为的关系,认为相结构的不同造成晶界电阻及势垒的不同,改变了电输运特性,从而使其电学行为改变.
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