考察了二硅化钼电热材料在CO和N2混合气氛条件下使用破坏机理.结果表明,在这种非氧化气份条件下,二硅化钼材料表面很难生成氧化物保护膜;二硅化钼材料表面发生脱硅反应,生成低硅化物,甚至MoC,在表面形成变质层.在频繁的升降温过程中,由于表面变质层与基体的热膨胀系数不同,发生剥落.从而导致二硅化钼材料在这种特出气氛条件下使用寿命的降低.
参考文献
| [1] | 江莞,赵世柯,王刚.二硅化钼材料的研究现状及应用前景[J].无机材料学报,2001(04):577-585. |
| [2] | Wang GX.;Pei BY.;Yu AB.;Lu GQ. .Oxidation mechanism of Si3N4-bonded SiC ceramics by CO, CO2 and steam[J].Journal of Materials Science,1998(5):1309-1317. |
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