制备工艺对CVD Si3N4涂层沉积速率的影响

材料导报, 2008, 22(z1): 415-417.

制备工艺对CVD Si3N4涂层沉积速率的影响

尹立峰 ^1, , 王思青 ^2, , 张长瑞 ^3, , 崔岩 ^4, , 徐晓燕 ^5,

1.国防科学技术大学航天与材料工程学院新型陶瓷纤维及其复合材料国防科技重点实验室,长沙,410073

2.国防科学技术大学航天与材料工程学院新型陶瓷纤维及其复合材料国防科技重点实验室,长沙,410073

3.国防科学技术大学航天与材料工程学院新型陶瓷纤维及其复合材料国防科技重点实验室,长沙,410073

4.中国航空工业济南特种结构研究所,济南,250023

5.中国航空工业济南特种结构研究所,济南,250023

基金项目: 国家部委科研项目(05G37003)

关键词： LPCVD , 氮化硅涂层 , 沉积速率

Effects of Preparation Technique on Deposition Rate of Silicon Nitride Coatings by Low Pressure Chemical Vapor Deposition

采用HSiCl3-NH3-N2(稀释气体)体系在石英陶瓷基板上通过低压化学气相沉积(LPCVD)法沉积出了Si3N4涂层,研究了工艺条件对涂层沉积速率的影响.结果表明,在没有稀释气体的情况下,随着沉积温度升高,Si3N4涂层的沉积速率逐渐增加,在850℃附近达到最大值,随着反应温度的进一步升高,涂层沉积速率下降.当存在稀释气体时,在所选温度范围内随着沉积温度的升高,Si3N4涂层的沉积速率一直增大,反应的表观活化能约为222KJ/mol.随着原料中NH3/HSiCl3流量比值的增大,Si3 N4涂层的沉积速率逐渐增加,随后稳定,但稍有下降趋势.在所选稀释气体流量范围内,Si3N4涂层的沉积速率随着稀释气体流量的增加而增大.

参考文献

[1]	田民波.薄膜技术与薄膜材料[M].北京:清华大学出版社,2006:556.
[2]	刘荣军,周新贵,张长瑞,曹英斌.炉温对化学气相沉积SiC涂层组成及显微结构的影响[J].国防科技大学学报,2002(06):23-26.
[3]	刘学建,金承钰,张俊计,黄智勇,黄莉萍.低压CVD氮化硅薄膜的沉积速率和表面形貌[J].无机材料学报,2004(02):379-384.

上一张下一张

计量

下载量()
访问量()

作者相关

文章评分

您的评分：
1

0%
2

0%
3

0%
4

0%
5

0%

材料期刊网