TiN/O'-sialon复相陶瓷的常温导电性能研究

功能材料, 2007, 38(1): 135-141.

TiN/O'-sialon复相陶瓷的常温导电性能研究

姜涛 ^1, , 薛向欣 ^2, , 刘然 ^3, , 段培宁 ^4, , 杜刚 ^5,

1.东北大学,材料与冶金学院,辽宁,沈阳,110004

2.东北大学,材料与冶金学院,辽宁,沈阳,110004

3.东北大学,材料与冶金学院,辽宁,沈阳,110004

4.东北大学,材料与冶金学院,辽宁,沈阳,110004

5.东北大学,材料与冶金学院,辽宁,沈阳,110004

基金项目: 国家自然科学基金(50574029)

关键词： TiN/O'-sialon , 复相陶瓷 , 导电性能 , 放电加工

Room-temperature electrical conductivity property of TiN/O′-sialon multiphase ceramics

对原位TiN/O'-sialon纳米复相陶瓷(NTS)和采用"二步法"制备的TiN/O'-sialon复相陶瓷(TS)的常温导电性能进行了对比研究,并对材料TS进行了放电加工.研究结果表明,初始原料中20%(质量分数)和25%(质量分数)左右的TiO2加入量是决定材料NTS和TS中TiN能否形成导电网络的最低TiO2加入量,该导电临界值同基相O'-sialon与导电相TiN的颗粒尺寸比有关,此时相应材料的电阻率为1.6×10-2和1.8×10-2 Ω·cm,满足放电加工的需要.烧结温度升高,两种材料的电阻率略有降低.随放电加工速度的增加,材料TS加工表面粗糙度明显增加.

参考文献

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