SmC0薄膜磁控溅射沉积速率的影响因素

材料科学与工程学报, 2011, 29(3): 411-414.

SmC0薄膜磁控溅射沉积速率的影响因素

刘吉延 ^1, , 马世宁 ^2, , 孙晓峰 ^3, , 李新 ^4,

1.装甲兵工程学院装备再制造工程系,北京100072

2.装甲兵工程学院装备再制造工程系,北京100072;装备再制造技术国防科技重点实验室,北京100072

3.装甲兵工程学院装备再制造工程系,北京100072

4.装甲兵工程学院装备再制造工程系,北京100072

基金项目: 再制造技术国防科技重点实验室基金(9140C8504030810)

关键词： SmCo , 磁控溅射 , 工艺参数 , 沉积速率

Influence of Technique Parameters on Depositing Rate of SmCo Films Prepared by Magnetron Sputtering

SmCo薄膜的厚度是影响其磁性能的重要因素,而沉积速率是控制薄膜厚度的关键.采用直流磁控溅射工艺制备SmCo薄膜,设计正交实验并通过数理统计方法研究了溅射工艺参数中溅射功率、靶基距及氩气压强对SmCo薄膜沉积速率的影响,并同时考察了不同厚度SmCo薄膜的磁性能变化规律.研究结果表明:溅射功率与靶基距都对薄膜的沉积速率有较大的影响,其中在溅射功率为40～120W范围内时,随着溅射功率的增大SmCo薄膜的沉积速率逐渐提高;在靶基距为50～70mm的范围内,SmCo薄膜的沉积速率随靶基距的增大而逐渐降低;而在氩气压强处于0.7～1.5Pa范围内时,SmCo薄膜的沉积速率几乎不随氩气压强的改变而变化.在溅射功率为80W、靶基距为60mm及氩气压强为1.1Pa的工艺条件下,SmCo薄膜的沉积速率具有很好的稳定性.随膜厚从0.59μm增加到0.90μm,SmCo薄膜的矫顽力由23.4kA/m降低到8.2kA/m.

参考文献

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