涂层导体用Ta掺杂CeO2过渡层的研究

稀有金属材料与工程, 2014, 43(6): 1329-1331.

涂层导体用Ta掺杂CeO2过渡层的研究

刘敏 ^1, , 吕昭 ^2, , 徐燕 ^3, , 叶帅 ^4, , 索红莉 ^5,

1.北京工业大学,北京100124

2.北京工业大学,北京100124

3.北京工业大学,北京100124

4.北京工业大学,北京100124

5.北京工业大学,北京100124

关键词： CeO2过渡层 , 掺杂 , 涂层导体

Study of Ta-doped CeO2 Buffer Layer for Coated Conductors

Keywords： CeO2 buffer layer , doping , coated conductor

采用简单的金属有机物沉积方法在自制的Ni-5W基带上成功地制备了Ta掺杂CeO2过渡层.XPS结果表明:在热处理时的还原性气氛中,Ta5+优先于Ce4+被还原为Ta4+,这有利于减少或抑制由于Ce4+被还原而产生的裂纹和孔洞.XRD结果表明除CeO2的衍射峰稍变小外,没有发现新的物相生成,这说明Ta4+部分取代了CeO2晶格中Ce4+的位置生成了Ce0.75Ta0.25O2.Ce0.75Ta0.25O2的ω-扫描和p扫描半高宽带分别是4.38°和6.67°,这表明Ce0.7sTa0.25O2具有良好的面外和面内织构.AES结果表明单层Ce0.75Ta0.25O2的厚度大约为70 nm,在过渡层的表面没有检测到Ni元素,说明该过渡层具有很好的阻止元素扩散的能力.综上说明,Ta掺杂的CeO2过渡层有望成为涂层导体用单层多功能过渡层.

参考文献

上一张下一张

计量

下载量()
访问量()

作者相关

文章评分

您的评分：
1

0%
2

0%
3

0%
4

0%
5

0%

材料期刊网

涂层导体用Ta掺杂CeO2过渡层的研究

Study of Ta-doped CeO2 Buffer Layer for Coated Conductors

参考文献