利用压痕裂纹恒载荷试样, 研究了单晶硅在空气中应力腐蚀以及动态 充氢时氢致滞后开裂的可能性; 利用卸载的压痕裂纹试样研究了残余应力引起 氢致滞后开裂的可能性. 结果表明, 单晶硅压痕裂纹恒载荷试样当 $K_\rm I=$K_\rm IC时在空气中并不发生应力腐蚀. 在 H$_2SO$_4溶液中动态充氢, 则能发生氢致滞后开裂, 止裂时 归一化门槛应力强度因子为$K_\rm IH/K_\rm IC$\approx$0.9. 卸载压痕 裂纹的残余应力在充氢过程中也能引起氢致滞后开裂, 归一化门槛应力强度因子 为$K_\rm IH/K_\rm IC$\approx$0.9.
参考文献
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