Xe+离子注入对单晶YSZ光学性能影响的研究

功能材料, 2003, 34(4): 450-451.

Xe+离子注入对单晶YSZ光学性能影响的研究

向霞 ^1, , 祖小涛 ^2, , 王治国 ^3, , 朱莎 ^4, , 曾光廷 ^5, , 霍永忠 ^6, , 王鲁闵 ^7,

1.电子科技大学,应用物理系,四川,成都,610054

2.电子科技大学,应用物理系,四川,成都,610054

3.电子科技大学,应用物理系,四川,成都,610054

4.Dep. of Nuclear Engineering and Radiolgical Sciences, University of Michigan, Ann Arbor, 48109,USA

5.四川大学,金属材料系,四川,成都,610064

6.四川大学,金属材料系,四川,成都,610064

7.四川大学,金属材料系,四川,成都,610064

基金项目: 国家自然科学基金(10175042)

关键词：单晶YSZ , Xe+离子注入 , 吸收光谱 , 荧光光谱

Influence of Xe+ ion implantation on spectral properties of yttria-stabilized zirconia single crystals

单晶YSZ(ytttia-stabilized cubic zirconia)在注入能量为200keV的Xe+离子后由无色透明变成紫色透明,吸收光谱测试表明,当注量达到1×1016cm-2时,开始出现吸收峰,并且吸收强度随注量增加而增大.对注量为1×1016cm-2和1×1017cm-2的样品,吸收带峰值分别位于522nm和497nm.吸收带可能与氧空位捕获电子形成的F型色心和氧离子捕获空位形成的V型色心有关.注入注量为1×1016cm-2样品的荧光测试表明,荧光光谱均为400～600nm范围内的宽发射带.注入注量为1×1017cm-2的样品没有荧光现象产生,可能是由于辐照损伤严重,缺陷浓度增大所致.

参考文献

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