欢迎登录材料期刊网

材料期刊网

高级检索

阐述了Thomas-Fermi-Dirac-Cheng电子理论的位错形成机制. 通过对系统总能量的分析提出了位错能够存在的判据, 计算给出多种单质材料位错存在的极限尺寸值.

参考文献

[1] Flugge S.Encyclopedia of Physics Vol.Ⅶ.Part 1[M].Berlin:Springer-Verlag,1955
[2] Cheng K J et al.Theoretical Foundation of Condensed Material[J].自然科学进展(英文版),1996,6(01):12.
[3] Quantum effect of the superplasticity in Zn-5Al alloy[J].自然科学进展(英文版),1999(09):656.
上一张 下一张
上一张 下一张
计量
  • 下载量()
  • 访问量()
文章评分
  • 您的评分:
  • 1
    0%
  • 2
    0%
  • 3
    0%
  • 4
    0%
  • 5
    0%