三元缺陷化合物CuGa3Te5的热电性能

1.太原理工大学,山西太原030024;宁波工程学院,浙江宁波315016

2.太原理工大学,山西太原030024

3.太原理工大学,山西太原030024

4.太原理工大学,山西太原030024

5.宁波工程学院,浙江宁波315016

基金项目: 国家自然科学基金资助(51171084,50871056) 宁波市国际合作项目(2011D10012)

Thermoelectric Properties of a Ternary Defect Compound CuGa3Te5

采用放电等离子烧结法(SPS)制备了三元缺陷化合物CuGa3Te5热电半导体,并分析研究了其结构和热电性能.XRD分析结果表明,该半导体为单相化合物CuGa3Te5,直接带隙宽度(Eg)约为1.0 eV.经热电性能测试分析,在717K时CuGa3Te5的ZT值达到最大值0.3.

[1]	Zhang SB;Wei SH;Zunger A .Stabilization of ternary compounds via ordered arrays of defect pairs[J].Physical review letters,1997(21):4059-4062.
[2]	Wei SH.;Zunger A.;Zhang SB. .Effects of Ga addition to CuInSe2 on its electronic, structural, and defect properties[J].Applied physics letters,1998(24):3199-3201.
[3]	Zhang SB.;Zunger A.;Katayama-Yoshida H.;Wei SH. .Defect physics of the CuInSe2 chalcopyrite semiconductor [Review][J].Physical Review.B.Condensed Matter,1998(16):9642-9656.

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