采用温度下降法在实验室条件下制备了氟化镧{纯LaF3及掺杂(Sm,Eu,Ga)F3、CaF2的LaF3}单晶.用交流电桥法测定了20～100℃范围内这些单晶的离子导电率,得出其离子导电率在10-6Scm-1数量级.用交流阻抗谱的方法在100～400C范围内、氩气保护下测定了氟化镧{LaF3掺杂1%(Sm,Eu,Ga)F3、2.05%CaF2}单晶及市售氟化镧{LaF3掺杂(0.2%EuF2、5%CaF2)}单晶的阻抗谱,求得单晶离子电导率皆在10-4Scm-1数量级.
参考文献
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