大直径Hg3In2Te6晶体生长与性能表征

功能材料, 2010, 41(4): 578-586.

大直径Hg3In2Te6晶体生长与性能表征

王新鹏 ^1, , 孙晓燕 ^2, , 介万奇 ^3, , 罗林 ^4, , 王涛 ^5, , 傅莉 ^6,

1.西北工业大学,凝固技术国家重点实验室,陕西,西安,710072

2.西北工业大学,凝固技术国家重点实验室,陕西,西安,710072

3.西北工业大学,凝固技术国家重点实验室,陕西,西安,710072

4.西北工业大学,凝固技术国家重点实验室,陕西,西安,710072

5.西北工业大学,凝固技术国家重点实验室,陕西,西安,710072

6.西北工业大学,凝固技术国家重点实验室,陕西,西安,710072

基金项目: 国家高技术研究发展计划(863计划)资助项目(2007AA03Z442)

关键词： Hg3In2Te6 , 大直径晶体生长 , 垂直布里奇曼法 , 摇摆曲线 , 红外透射光谱

Bulk crystal growth and characterization of Hg3In2Te6

采用垂直布里奇曼法,成功生长出大直径Hg3In2Te6(θ=30mm)晶体.通过傅立叶红外透射光谱测试了晶锭不同部位的红外透过率,并利用X射线双晶摇摆曲线表征了晶体的结晶质量.结果表明,定向切割晶片为(111)面单晶,衍射峰位于θ=12.1665°处,半峰宽为0.0760°;中部单晶片红外透过率平均值为50%,接近Hg3In2Te6晶体的红外透过率最大值57%.位错和成分非均匀性是造成晶锭不同部位红外透过率差异的主要因素.

参考文献

[1]	Wang Linghang;Jie Wanqi .[J].Journal of Crystal Growth,2006,290:203.
[2]	张小雷,孙维国,鲁正雄,张亮,赵岚,孟超,丁嘉欣.ITO/HgInTe肖特基的光电特性[J].红外与激光工程,2008(04):594-597.
[3]	Becker U;Rudolph P;Boyn R et al.[J].Physical Status Solidi,1990,12:653-660.
[4]	王领航 .Hg(3-3x)In2xTe3晶体生长及性能表征[D].西安:西北工业大学,2008.
[5]	李国强 .高电阻Cd1-xZnxTe的晶体生长、性能表征及退火改性[D].西安:西北工业大学,2004.
[6]	孙以材.半导体测试技术[M].北京:冶金工业出版社,1984:225-260.
[7]	王领航 .Hg(3-3x)In2xTe3晶体生长及性能表征[D].西安:西北工业大学,2008.

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