利用直流磁控反应溅射法在Ar和O2气氛中从Cd-In合金靶上制备了三元化合物CdIn2O1薄膜(CIO),研究了不同氧浓度、基片温度和退火处理对CIO薄膜的透光率的影响以及由温差所产生的Seebeck效应,结果表明:氧浓度、基片温度越高,透光率越高;退火处理进一步提高了透光率,在可见光区域内膜的最高透光率高达95%.研究还发现,CIO薄膜的Seebeck效应非常的明显,温差电动势率最高值达0.16mV/K,这在实际应用方面有参考价值.
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