使用低压化学气相沉积工艺(LPCVD),以三氯硅烷和氨气作为硅源和氮源,在烧结氮化硅表面制备氮化硅薄膜.分别考察了载气、沉积温度以及原料配比等工艺参数对沉积速率的影响,并对薄膜的组成、结构及硬度等性能进行了分析.结果表明,较好的工艺条件是,采用N2或N2+H2为载气、沉积温度为800℃,NH3/HSiCl3流量比为4,此时薄膜沉积速率可达23.4 nm/min,其主要由Si-N组成,并含有部分Si-O,硬度为28 650 MPa.
参考文献
| [1] | 齐共金;张长瑞;胡海峰 .[J].硅酸盐学报,2005,5:634. |
| [2] | 戴达煌;周克菘;袁镇海.现代材料表面技术科学[M].北京:冶金工业出版社,2004:304. |
| [3] | Zambom L S;Mansano R D;Furlan R et al.[J].Thin Solid Films,1999,343-344:299. |
| [4] | Bagatur'Yants A A;Novoselov K P;Safonov A A et al.[J].Materials Science in Semiconductor Processing,2000,3:23. |
| [5] | James M. Olson .Analysis of LPCVD process conditions for the deposition of low stress silicon nitride. Part I: preliminary LPCVD experiments[J].Materials science in semiconductor processing,2002(1):51-60. |
| [6] | 李金桂;吴再思.防腐蚀表面工程技术[M].北京:化学工业出版社,2003 |
| [7] | Osono S.;Uchiyama Y.;Kitazoe M.;Saito K.;Hayama M.;Masuda A.;Izumi A.;Matsumura H. .Coverage properties of silicon nitride film prepared by the Cat-CVD method[J].Thin Solid Films: An International Journal on the Science and Technology of Thin and Thick Films,2003(1/2):165-169. |
| [8] | 钱苗根;姚寿山;张少宗.现代表面技术[M].北京:机械工业出版社,2004:24. |
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