采用液相共沉淀法制备了ZAO掺杂半导体粉末材料,系统研究了制备工艺对ZAO粉末红外发射率的影响.借助于TG-DTA、XRD、SEM对材料的热处理温度,晶体结构及表面形貌进行了考察,利用IR-2双波段发射率测量仪对ZAO粉末材料的红外发射率进行了测试.研究结果表明:当反应物终点pH值为8.5、反应时间为2.5 h、煅烧温度为800℃,煅烧时间为2 h、Al2O3的掺杂量为3%时所得的ZAO粉末的红外发射率最低;ZAO掺杂半导体粉末的晶体结构为ZnO的铅锌矿结构;粒子形状近似为椭圆形,平均粒径为5～10 μm;在中红外(3～5 μm)和远红外(8～14 μm)波段均具有较低的红外发射率.
参考文献
| [1] | 高海潮,戴松涛.一种新型红外低目标特征材料[J].光谱学与光谱分析,2007(04):671-674. |
| [2] | 谢国华,吴瑞彬,吴伶芝,张佐光.红外隐身材料的现状与展望[J].宇航材料工艺,2001(04):5-10. |
| [3] | Kentaro Utsumi;Osamu Matsunatga;Tsutomu Takahata .Low resistivity ITO film prepared using the ultra high density ITO target[J].Thin Solid Films: An International Journal on the Science and Technology of Thin and Thick Films,1998(1/2):30-34. |
| [4] | 陆峰,徐成海,闻立时.ZAO薄膜的研究现状及发展趋势[J].真空与低温,2001(03):125-129. |
| [5] | 黄佳木,董建华,张新元.透明导电ZnO：Al（ZAO）薄膜的结构及光电特性研究[J].太阳能学报,2003(06):845-850. |
| [6] | 陶亮,张道礼,梁延彬,程有光.化学共沉淀工艺对ATO粉体粒度的影响[J].压电与声光,2007(02):207-209. |
| [7] | 张建荣,高濂.纳米晶Sb掺杂SnO2（ATO）粉体的合成与表征[J].高等学校化学学报,2003(09):1544-1547. |
| [8] | 吕建国,叶志镇.ZnO薄膜的最新研究进展[J].功能材料,2002(06):581-583,587. |
| [9] | 李琨,罗发,苏晓磊,朱冬梅,周万城.溶胶-凝胶法制备ZnO：Al（ZAO）薄膜的红外发射率研究[J].功能材料,2008(04):590-592. |
| [10] | 薛俊明,黄宇,熊强,马铁华,孙建,赵颖,耿新华.ZnO：Al绒面透明导电薄膜的制备及分析[J].太阳能学报,2007(07):701-705. |
| [11] | 付恩刚,庄大明,张弓.掺铝氧化锌薄膜的红外性能及机制[J].金属学报,2005(03):333-336. |
| [12] | 娄霞,朱冬梅,张玲,罗发,周万城.Al掺杂含量对纳米ZAO粉体性能的影响[J].功能材料,2008(04):667-669. |
| [13] | 陈林,吴伯麟.制备工艺对铟锡氧化物（ITO）粉末粒度的影响[J].稀有金属材料与工程,2007(08):1452-1456. |
| [14] | 郦江涛,姜卫陵,赵云峰.红外隐身涂料的研究进展[J].宇航材料工艺,2000(05):15-18. |
| [15] | 刘虹,王源升,朱金华.高分子材料在红外隐身技术中的应用[J].胶体与聚合物,2002(02):41-42. |
| [16] | 卢晓蓉,徐国跃,王岩,王玲,汤浩,王幼文.纳米ZnO的制备及红外发射率研究[J].南京航空航天大学学报,2003(05):464-467. |
| [17] | 姜海青,王连星,赵世民.溶胶-凝胶法制备A13+离子掺杂型ZnO薄膜与评价[J].功能材料,2000(03):278. |
| [18] | 范志新.ITO薄膜载流子浓度的理论上限[J].现代显示,2000(03):18-22. |
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