在不同温度下,采用自主设计的测试设备测试了不同纯度和不同厚度的冶金级硅的电导率,分析了冶金级硅的纯度对电导率的影响.结果表明:采用厚度较薄的硅片进行电导率测试能更准确反映出电导率随温度的变化关系;当温度达到650℃以上时,本征激发作用明显,冶金级硅电导率开始迅速增大,并且纯度较高、金属杂质含量较少的硅电导率随温度的升高增幅较大;最后,根据测量出的电导率进行了数值拟合,得到了冶金级硅电导率随温度变化的数学表达式.
参考文献
[1] | 吴亚萍 .太阳能级多晶硅的冶金制备研究[D].大连理工大学,2006. |
[2] | 张伟娜,谭毅,许富民.显微组织对冶金法制备多晶硅电阻率的影响[J].机械工程材料,2008(01):17-20. |
[3] | 赵伟,侯清润,陈宜保,何元金.半导体硅的Seebeck系数和电阻率测量[J].物理与工程,2007(01):26-30. |
[4] | 张伟娜 .冶金多晶硅的电学性能研究[D].大连理工大学,2007. |
[5] | 席珍强,杨德仁,陈君,王晓泉,汪雷,阙端麟,H.J.Moeller.晶体硅中的铁沉淀规律[J].半导体学报,2003(11):1166-1170. |
[6] | 邓海 .铸造多晶硅中原生杂质及缺陷的研究[D].浙江大学,2006. |
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