射频磁控溅射制备硼碳氮薄膜

功能材料, 2007, 38(6): 889-894.

射频磁控溅射制备硼碳氮薄膜

王玉新 ^1, , 冯克成 ^2, , 张先徽 ^3, , 王兴权 ^4, , 赵永年 ^5,

1.长春理工大学,理学院,吉林,长春,130022

2.长春理工大学,理学院,吉林,长春,130022

3.长春理工大学,理学院,吉林,长春,130022

4.长春理工大学,理学院,吉林,长春,130022

5.吉林大学,超硬材料国家重点实验室,吉林,长春,130012

基金项目: 国家自然科学基金(59831340)

关键词：射频磁控溅射 , 硼碳氮薄膜 , 红外吸收光谱

Preparation of boron carbon nitride thin films by RF magnetron sputtering

采用射频磁控溅射技术,用六角氮化硼和石墨为溅射靶,以氩气(Ar)和氮气(N2)为工作气体,在Si (100)衬底上制备出硼碳氮薄膜.通过X射线衍射(XRD)、傅里叶红外吸收光谱(FTIR)和X射线光电子能谱(XPS)等分析手段对样品结构、组分进行了分析.结果表明,样品的组成原子之间实现了原子级化合,且薄膜为乱层石墨结构.样品中B、C、N的原子比近似为1:1:1.

参考文献

[1]	Solozhenko V L et al.[J].Applied Physics Letters,2001,78:1385.
[2]	Zhou Z F;Bello I;Lei M K et al.[J].Surface and Coatings Technology,2000,128:334.
[3]	Zhao Y et al.[J].Journal of Materials Research,2002,17:3139.
[4]	Gao F et al.[J].Physical Review Letters,2003,91:15502.
[5]	Etou Y;Tai T;Sugiyama T et al.[J].Diamond and Related Materials,2002,11:985.
[6]	He DY.;Cheng WJ.;Qin J.;Yue JS.;Xie EQ.;Chen GH. .Relief of the internal stress in ternary boron carbonitride thin films[J].Applied Surface Science: A Journal Devoted to the Properties of Interfaces in Relation to the Synthesis and Behaviour of Materials,2002(1/4):338-343.
[7]	Sun G et al.[J].Diamond and Related Materials,2006,15:1659.
[8]	Wada Y;Yap Y K;Mori Y et al.[J].Diamond and Related Materials,2000,9:620.
[9]	Zhao Y N;Wang B;Yu S et al.[J].Thin Solid Films,1998,320:220.
[10]	Stenzel O;Vogel M;Poitz S .[J].Physica Status Solidi,1993,140:179.
[11]	Bellamy L J.The Infra-red Spectra of Complex Molecules[M].London:Chapman and Hall,1995
[12]	Tian J Z;Xia L F;Ma X X et al.[J].Thin Solid Films,1999,355:229.
[13]	马锡英,贺德衍,陈光华.BC2N薄膜的柱状生长及生长机理[J].物理学报,2001(10):2023-2027.

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Preparation of boron carbon nitride thin films by RF magnetron sputtering

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