Au/p-CdZnTe欧姆接触的电学测量及界面特性分析

功能材料, 2008, 39(6): 1050-1055.

Au/p-CdZnTe欧姆接触的电学测量及界面特性分析

张连东 ^1, , 聂中明 ^2, , 傅莉 ^3, , 查钢强 ^4, , 介万奇 ^5,

1.西北工业大学,材料学院,陕西,西安,710072

2.西北工业大学,材料学院,陕西,西安,710072

3.西北工业大学,材料学院,陕西,西安,710072

4.西北工业大学,材料学院,陕西,西安,710072

5.西北工业大学,材料学院,陕西,西安,710072

基金项目: 国家自然科学基金(50772091;50336040) 陕西省自然科学基金(2007E105)

关键词： CdZnTe晶片 , 化学镀金 , 接触电阻率测量 , CdTeO3界面层

Electrical measurement and interface analysis of the ohmic contact on p-CdZnTe with electroless Au

采用化学镀金法在高阻p-CZT(CdZnTe)晶片表面制备Au电极,并用改进的圆环传输线模型(Ring-CTLM)测量了CZT电极的接触电阻,探讨了大气气氛下退火温度对CZT电极欧姆特性的影响.实验结果表明,200℃退火可以显著改善欧姆特性,使接触电阻率ρc显著减小,采用Ring-CTLM模型测得CZT与金电极接触电阻率为0.1524Ω·cm2.通过XPS分析了CZT与Au电极接触界面的成分,发现在Au/p-CdZnTe界面处形成了CdTeO3层,该界面层可起到载流子复合中心的作用,构建的新模型很好地解释了化学镀金法在p-CdZnTe晶片表面形成欧姆接触的机理.

参考文献

[1]	Schlesigner T E;Tony J E;Yoon H .[J].Materials Science and Engineering,2001,32:103.
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[8]	朱德光,吴鼎芬.金属-半导体比接触电阻的圆环结构测试法[J].物理学报,1987(06):752-759.

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