第一性原理研究InP的能带结构与光学性能

材料导报, 2009, 23(16): 8-11.

第一性原理研究InP的能带结构与光学性能

赵宏健 ^1, , 薛晶文 ^2, , 周珏辉 ^3, , 赵宏伟 ^4,

1.浙江大学材料科学与工程学系,杭州,310027;吉林大学机械科学与工程学院,长春,130032

2.浙江大学材料科学与工程学系,杭州,310027

3.浙江大学材料科学与工程学系,杭州,310027

4.吉林大学机械科学与工程学院,长春,130032

基金项目: 高等学校博士学科点专项科研基金(200801831024)

关键词： InP , 第一性原理 , 能带结构 , 光学性能

First-principles Study of Band Structure and Optical Properties of InP

采用基于局域密度近似的第一性原理方法计算了InP的能带结构和电子态密度,并对InP晶体的电荷分布进行了Mulliken布局分析.计算表明InP是直接带隙半导体材料,其价带主要由In的5s以及P的3s、3p态电子构成,导带主要由P的3p以及In的5s、5p态电子构成;P原子与In原子的电子重叠布局数达2.30,表明In-P键的共价性较强而离子性较弱.利用Kramers-Kronig色散关系对InP的介电函数、能量损失谱、折射率以及吸收系数等进行了计算,计算结果与实验值基本一致.此外,根据计算的能带结构与态密度分析了InP电子结构与光学性质的内在联系,解释了InP材料光学性能的微观机制.

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