Si基Si3N4/SiO2双层驻极体薄膜的电荷储存稳定性和电荷输运特性

功能材料, 2000, 31(5): 476-478.

Si基Si3N4/SiO2双层驻极体薄膜的电荷储存稳定性和电荷输运特性

张晓青 ^1, , 夏钟福 ^2, , 潘永刚 ^3, , 张冶文 ^4,

1.同济大学波耳固体物理研究所,上海,200092

2.同济大学波耳固体物理研究所,上海,200092

3.同济大学波耳固体物理研究所,上海,200092

4.同济大学波耳固体物理研究所,上海,200092

基金项目: 中国科学院资助项目(59682003)

关键词：驻极体 , 双层薄膜 , 电荷储存 , 电荷输运

The Stability of Charge Storage and Property of Charge Transport of Si3N4/SiO2 Double Layer Electret Based on Si Substrate

非晶态二氧化硅(SiO2)具有优良的驻极体性质,可制成微型化、集成化和机敏化的高灵敏度的传感器.但是,热氧化SiO2驻极体膜的高压应力引起微结构变形,对薄膜储电特性形成复杂的影响.利用氮化硅薄膜的高张应力研制成氮化硅/二氧化硅(SiN4/SiO2)双层膜,可使其内应力相互补偿.本文讨论了双层膜驻极体的电荷储存稳定性及电荷输运特性.实验结果表明,Si3N4/SiO2双层膜具有比单层膜更优异的电荷储存稳定性,Si3N4/SiO2双层膜系统的电荷寿命比SiO2驻极体约高两个数量级.常温恒压电晕充电,电荷被储存在Si3N4/SiO2双层膜的近自由面附近,随着充电温度的提高,平均电荷重心向驻极体内部迁移.但是在低于300℃的充电温度下,平均电荷重心不能达到Si3N4和SiO2的界面处.电荷输运受缓慢再捕获效应控制.

参考文献

[1]	Kuehnel W;Hess G .[J].Sensors and Actuators,1992,A32:560-564.
[2]	Olthuis W;Bergveld P.[J].ISE7,1991:16-26.
[3]	Amjadi H;Sessler G M .[R].CEIDP Annual Report,1995.
[4]	Pan Y;Xia Z;Zhang X.[J].ISE10,1999
[5]	Sessler G M.Electrets[M].Spinger-Verlag,Berlin,New York,1987
[6]	Xia Z;Wedel A;Danz R.[J].ISE10,1999
[7]	Zhang X;Xia Z;Pan Y.[J].ISE10,1999
[8]	Chu T L;Szedon J R;Lee C H .[J].Solid-State Electronics,1967,10:879-905.

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