衬底温度对磁控溅射氮化铝薄膜组成的影响

材料导报, 2007, 21(z2): 179-181.

1.重庆大学数理学院应用物理系,重庆,400044

2.重庆大学数理学院应用物理系,重庆,400044;重庆大学光电技术及系统教育部重点实验室,重庆,400044

3.重庆大学数理学院应用物理系,重庆,400044

4.重庆大学数理学院应用物理系,重庆,400044

5.重庆大学数理学院应用物理系,重庆,400044

基金项目: 教育部跨世纪优秀人才培养计划(NCET-05-0764) 重庆市自然科学基金(CSTC2005BA4016) 重庆市科技攻关项目(CSTC2005AA4006-A6)

Effect of Substrate Temperature on the Composition of AIN Thin Films Prepared by DC Reactive Magnetron Sputtering

采用高纯铝靶和氮/氩混合气氛,在玻璃衬底上用直流反应磁控溅射法制备了AlN薄膜,用X射线光电子能谱(XPS)分析了不同衬底温度下样品的组成.结果表明,AlN薄膜主要含有AlN,存在少量Al2O3及一些其它杂质;随着基片温度的升高,AlN薄膜的纯度提高.

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