掺铒a-SixC1-x-H薄膜的发光特性

中国稀土学报, 2006, 24(4): 395-398.

掺铒a-SixC1-x-H薄膜的发光特性

卞留芳 ^1, , 张春光 ^2, , 陈维德 ^3, , 许振嘉 ^4, , 屈玉华 ^5, , 刁宏伟 ^6,

1.中国科学院半导体研究所,表面物理国家重点实验室,北京,100083

2.中国科学院半导体研究所,表面物理国家重点实验室,北京,100083

3.中国科学院半导体研究所,表面物理国家重点实验室,北京,100083

4.中国科学院半导体研究所,表面物理国家重点实验室,北京,100083

5.中国科学院半导体研究所,超晶格国家重点实验室,北京,100083

6.中国科学院半导体研究所,表面物理国家重点实验室,北京,100083

基金项目: 国家自然科学基金(60576004)

关键词： Er , SiC , 硅基材料 , 发光 , 稀土

Photoluminescence Properties of Er-doped SiC Thin Film

用等离子体增强化学气相沉积(PECVD) 的方法,以固定的氢气(H2)流量和不同的硅烷(SiH4)和甲烷(CH4)流量比沉积了一系列的氢化非晶SiC(a-SixC1-x-H)膜.用这种宽带隙的a-SixC1-x-H材料作为掺铒的基体材料,通过离子注入的方法得到掺铒的a-SixC1-x-H(a-SixC1-x-H:Er)膜.注入以后的样品经过不同温度的退火.用X射线光电子能谱(XPS)、红外吸收光谱(IR)、拉曼散射谱(Raman)等技术研究不同的SiH4/CH4流量比和退火温度对a-SixC1-x-H:Er发光强度的影响.结果表明,高温退火引起了膜中C的分凝,对铒的发光是不利的.通过低温和室温下铒发光强度的比较,表明这种材料具有较弱的温度猝灭效应.

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