温度交变环境对薄膜太阳电池相关层材料性能的影响

功能材料, 2004, 35(z1): 1870-1872.

温度交变环境对薄膜太阳电池相关层材料性能的影响

郝延明 ^1, , 蔡宏琨 ^2, , 周严 ^3, , 林波 ^4, , 张德贤 ^5, , 林列 ^6,

1.天津师范大学,物理系,天津,300074

2.天津师范大学,物理系,天津,300074

3.天津师范大学,物理系,天津,300074

4.河北石油职业技术学院,河北,廊房,065000

5.南开大学,信息学院,天津,300071

6.南开大学,信息学院,天津,300071

基金项目: 天津市教委资助项目(020401) 教育部优秀青年教师资助计划(1999)

关键词：薄膜太阳能电池 , 薄膜材料 , 温度

Influence of variational temperature by turns on the properties of the materials of the film solar cells

对玻璃衬底上采用PECVD方法在低温条件下制备的太阳电池的各相关层材料的性质在经历一定的温度交变周期以后的变化情况进行了研究.研究结果表明:(1)P、N层材料(μc-Si)在经历温度交变试验过程以后,在测量误差范围内其光、暗电导率无明显变化;(2)Ⅰ层材料(M-Si)在经历温度交变试验过程以后,其光、暗电导率先略有增加(小于5个热循环周期时),之后(大于5个热循环周期时)基本保持恒定;(3)阻挡层ZnO薄膜在经历温度交变试验过程以后,其方块电阻不变但透射系数有所增加,反射系数基本不变;(4)电极ITO在经历温度交变试验过程以后,其方块电阻不变但透射系数有所增加.

参考文献

[1]	林来兴 .现代小卫星及其关键技术[J].中国空间科学技术,1995,4(08):37-43.
[2]	王永东,崔容强,徐秀琴.空间太阳电池发展现状及展望[J].电源技术,2001(z1):182-185.
[3]	林列,蔡宏琨,张德贤,孙云,郝延明.硼掺杂对a-Si薄膜电导率及太阳电池效率的影响[J].光电子·激光,2003(11):1146-1148.

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