宽禁带半导体β-Ga2O3单晶的研究进展

人工晶体学报, 2015, 44(11): 2943-2953.

1.上海大学,上海200444;中国科学院上海光学精密机械研究所,上海201800

2.上海大学,上海,200444

3.中国科学院上海光学精密机械研究所,上海,201800

4.中国科学院上海光学精密机械研究所,上海,201800

5.中国科学院上海光学精密机械研究所,上海,201800

基金项目: 国家自然科学基金(61176072) 上海市科委科技攻关(13111103700)

Research Progress of Wide-gap Semiconductor β-Ga2O3 Single Crystal

本论文综述了宽禁带半导体β-Ga2O3材料的研究进展,包括晶体结构,生长方法,掺杂离子,光学性质和电学性质.β-Ga2O3可以作为GaN基LEDs的潜在衬底,同时它也在MOSFET和紫外光探测器方面有着重要的应用前景.

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