Nb或La掺杂的Ba(Ti0.9Sn0.1)O3基陶瓷的介电性能

功能材料, 2004, 35(z1): 1320-1326.

1.西安交通大学,电子陶瓷与器件教育部重点实验室,陕西,西安,710049

2.西安交通大学,电子陶瓷与器件教育部重点实验室,陕西,西安,710049

3.西安交通大学,电子陶瓷与器件教育部重点实验室,陕西,西安,710049

基金项目: 国家重点基础研究发展计划(973计划)(2002CB613304)

Dielectric properties of Ba(Ti0.9Sn0.1)O3 ceramics doped with Nb/La

研究了掺杂Nb2O5或La2O3的Ba(Ti0.9Sn0.1)O3基陶瓷的介电性能.结果表明:掺入0.5%(摩尔比)Nb或La后Ba(Ti0.9Sn0.1)O3基陶瓷的居里温度向低温方向明显移动,而且介电常数显著增大,室温介电常数达30000,峰值介电常数达35000左右,同时介电损耗也明显增加.

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