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采用热等静压(HIP)技术对Be与CuCrZr合金进行扩散连接,比较了不同HIP工艺下制备的Be/CuCrZr接头性能,观察了接头区域的微观组织.结果表明:在580℃,140 MPa下Be与CuCrZr直接扩散连接以及采用Ti(Be上PVD镀层)/Cu(CuCrZr上PVD镀层)作过渡层的间接扩散连接均达到了较好的连接效果.材料组合及连接工艺参数等对Be与CuCrZr合金的扩散连接存在着明显的影响.表面采用Ti镀层的间接扩散连接在580℃时可有效阻止Be与Cu形成脆性相.经过580℃.2 h HIP处理后,CuCrZr硬度可恢复至初始状态的77%.

参考文献

[1] Elio F;Ioki K .[J].Fusion Engineering and Design,2005,75-79:601.
[2] Odegard J B C;Cadden C H;Yang N Y C .[J].Fusion Engineering and Design,1998,41:63.
[3] Lorenzetto P;Cardella A;Daenner W et al.[J].Fusion Engineering and Design,2002,61-65:643.
[4] Hatano T;Kuroda T;1wadachi T.[A].Marseilles,1998:97.
[5] Gervash A;Mazul I;Yablokov N et al.[J].Fusion Technology,2000,38:277.
[6] Odegard J B C;Cadden a C H;Watson R D et al.[J].Journal of Nuclear Materials,1998,258-263:329.
[7] Makino T;1wadachi T .[J].Journal of Nuclear Materials,1998,258-263:313.
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