采用热等静压(HIP)技术对Be与CuCrZr合金进行扩散连接,比较了不同HIP工艺下制备的Be/CuCrZr接头性能,观察了接头区域的微观组织.结果表明:在580℃,140 MPa下Be与CuCrZr直接扩散连接以及采用Ti(Be上PVD镀层)/Cu(CuCrZr上PVD镀层)作过渡层的间接扩散连接均达到了较好的连接效果.材料组合及连接工艺参数等对Be与CuCrZr合金的扩散连接存在着明显的影响.表面采用Ti镀层的间接扩散连接在580℃时可有效阻止Be与Cu形成脆性相.经过580℃.2 h HIP处理后,CuCrZr硬度可恢复至初始状态的77%.
参考文献
[1] | Elio F;Ioki K .[J].Fusion Engineering and Design,2005,75-79:601. |
[2] | Odegard J B C;Cadden C H;Yang N Y C .[J].Fusion Engineering and Design,1998,41:63. |
[3] | Lorenzetto P;Cardella A;Daenner W et al.[J].Fusion Engineering and Design,2002,61-65:643. |
[4] | Hatano T;Kuroda T;1wadachi T.[A].Marseilles,1998:97. |
[5] | Gervash A;Mazul I;Yablokov N et al.[J].Fusion Technology,2000,38:277. |
[6] | Odegard J B C;Cadden a C H;Watson R D et al.[J].Journal of Nuclear Materials,1998,258-263:329. |
[7] | Makino T;1wadachi T .[J].Journal of Nuclear Materials,1998,258-263:313. |
上一张
下一张
上一张
下一张
计量
- 下载量()
- 访问量()
文章评分
- 您的评分:
-
10%
-
20%
-
30%
-
40%
-
50%