在真空蒸镀多晶硅薄膜中掺入杂质可改善膜的微结构及电特性,目前有关基板距离对所得膜层的影响研究不多.采用真空蒸镀掺杂锗的方法制备出多晶硅薄膜;通过扫描电镜、X射线衍射仪、拉曼光谱仪等研究了基板距离对掺锗多晶硅薄膜的组织、形貌、晶粒尺寸及晶化率的影响.结果表明:随着基板距离的增大,薄膜的晶粒尺寸和晶化率均呈现出先增大后减小的相似趋势;当基板距离为90 mm时,晶粒尺寸显著增大,最大达到0.8 μm左右,多晶硅薄膜晶粒形貌、结构性能最好,且具有较高的结晶度,薄膜的晶化率最高可达到85.10％.
参考文献
| [1] | 曹健,王宙,室谷贵之(日),付传起.真空蒸镀多晶硅薄膜工艺对其组织和性能的影响[J].表面技术,2011(02):83-85. |
| [2] | 陈海力 .制备工艺对铝诱导多晶硅薄膜性能影响的研究[D].南京航空航天大学,2011. |
| [3] | 陈永生,郜小勇,杨仕娥,卢景霄,李维强.掺磷硅薄膜的微结构及电特性研究[J].压电与声光,2006(06):733-735. |
| [4] | Sadoh T,Nagatomo K,Tsunoda I,et al.Enhanced crystal nucleation in oα-Si on SiO2 by local Ge doping[J].Thin Solid Films,2004(464/465):99~102.,2004. |
| [5] | 王宙,何旭,付传起,室谷贵之,杨萍,曹健.真空蒸镀锗掺杂多晶硅薄膜的研究[J].真空科学与技术学报,2013(11):1110-1113. |
| [6] | 唐正霞,沈鸿烈,鲁林峰,黄海宾,蔡红,沈剑沧.氧化铝膜对铝诱导制备多晶硅薄膜的影响[J].真空科学与技术学报,2010(01):38-42. |
| [7] | 徐树深,梅丽文,张建光.镀膜装置蒸发源发射形态与膜厚分布[J].真空,2010(06):23-25. |
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