HgInTe晶片表面化学抛光研究

人工晶体学报, 2009, 38(2): 535-538.

HgInTe晶片表面化学抛光研究

杨杨 ^1, , 王领航 ^2, , 介万奇 ^3, , 王亚彬 ^4, , 傅莉 ^5,

1.西北工业大学凝固技术国家重点实验室,西安,710072

2.西北工业大学凝固技术国家重点实验室,西安,710072

3.西北工业大学凝固技术国家重点实验室,西安,710072

4.西北工业大学凝固技术国家重点实验室,西安,710072

5.西北工业大学凝固技术国家重点实验室,西安,710072

基金项目: 西北工业大学博士生创新基金(CX200606) 西北工业大学研究生种子基金(Z200612) 国家高技术研究发展计划(863计划)(2007AA03Z442)

关键词： HgInTe , 化学抛光 , 腐蚀速率 , 表面粗糙度

Study on Surface Chemical Polishing of HgInTe Wafers

对HgInTe(MIT)晶片表面化学抛光工艺进行了研究,采用不同浓度的Br2-C3H7ON以及Br2-MeOH作为抛光液对MIT晶片进行化学抛光后发现,5%Br2-C3H7ON抛光液的抛光速度平稳且易于控制,抛光3min后可以有效去除表面划痕,获得光亮表面,表面形貌达到最佳效果.AFM分析结果表明,5%Br2-C3H7ON抛光后的晶片表面粗糙度降低67%,平整度显著增加.相比之下,5%Br2-MeOH抛光液抛光速度过快,抛光后的表面形貌较差.

参考文献

[1]	王领航,董阳春,介万奇.HgInTe晶体的生长及其性能研究[J].功能材料,2007(06):870-871,875.
[2]	P. M. Gorlei;O. G. Grushka;Z. M. Grushka .Effect of Gadolinium Impurity on Transmittance and Reflectance of Hg_3In_2Te_6 Crystals[J].Semiconductors,2003(3):256-258.
[3]	П В 谢格列夫.金属的电抛光和化学抛光[M].北京:科学出版社,1961:7-79.
[4]	查钢强,介万奇,李强,刘永勤.CdZnTe单晶的机械抛光及其表面损伤层的测定[J].功能材料,2006(01):120-122.

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