In0.82Ga0.18As材料的低温电学性质研究

低温物理学报 , 2014, 36(6): 450-454.

In0.82Ga0.18As材料的低温电学性质研究

1.山东省多光子纠缠与操纵重点实验室,潍坊学院物理与光电工程学院,山东潍坊261061;发光学及应用国家重点实验室,中国科学院长春光学精密机械与物理研究所,长春130033

2.山东省多光子纠缠与操纵重点实验室,潍坊学院物理与光电工程学院,山东潍坊261061;发光学及应用国家重点实验室,中国科学院长春光学精密机械与物理研究所,长春130033

3.发光学及应用国家重点实验室,中国科学院长春光学精密机械与物理研究所,长春130033

4.发光学及应用国家重点实验室,中国科学院长春光学精密机械与物理研究所,长春130033

基金项目: Project supported by the Natural Science Foundation of China (Grant Nos.10804068,11174224),the Science and Technology Development Program of Shandong Province(Grant No.2013YD01016),and Higher School Science and Technology Program of Shandong Province (Grant No.J13LJ54). 国家自然科学基金(批准号:10804068,11174224),山东省科技发展计划(批准号:2013YD01016),山东省省高校科技发展计划(批准号:J13LJ54)资助的课题

关键词： In0.82Ga0.18As , 变温霍尔效应 , 散射机制

STUDY OF ELECTRICAL PROPERTIES OF In0.82Ga0.18As AT LOW TEMPERATURE

Keywords： In0.82Ga0.18As , Variable temperature Hall-effect , Scattering mechanism

利用低压-金属有机化学气相沉积(LP-MOCVD)设备,采用两步生长及缓冲层热退火处理在InP衬底上制备了高质量的In0.82Ga0.18As外延材料.研究了缓冲层退火前后In0.82 Ga0.18As外延材料的低温电学性质,通过变温霍尔效应测试得到了载流子的浓度和迁移率随温度变化的关系,并利用位错散射、极化光学声子散射等对实验数据进行了拟合.结果表明,实验值与理论值符合较好,在较低温度下(＜150 K),位错散射起主要作用,而在较高的温度下(＞250 K),极化光学声子散射占主要地位.

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