透射电子显微术和高分辨X射线衍射技术研究AlN单晶生长习性

人工晶体学报, 2008, 37(5): 1117-1120.

1.山东大学晶体材料国家重点实验室,济南,250100

2.山东大学晶体材料国家重点实验室,济南,250100

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4.山东大学晶体材料国家重点实验室,济南,250100

5.山东大学晶体材料国家重点实验室,济南,250100

基金项目: 教育部跨世纪优秀人才培养计划山东省自然科学基金国家自然科学基金(50472068)

Investigation on Growth Habit of AIN Crystal by TEM and HRXRD Method

采用透射电子显微术和高分辨X射线衍射技术对氮化硼坩埚中自发成核的AIN单晶生长习性进行了研究.结果表明,在低温下,AIN单晶显露面为(0001)面,随着温度的升高,AIN单晶显露面转化为(1120)面.沟槽结构是高温下得到的AIN单晶共有的显著特征,其取向沿[0001]方向.

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