探测器级CdZnTe晶体变温特性研究

功能材料, 2011, 42(3): 441-447.

探测器级CdZnTe晶体变温特性研究

徐亚东 ^1, , 何亦辉 ^2, , 王涛 ^3, , 查钢强 ^4, , 傅莉 ^5, , 介万奇 ^6,

1.西北工业大学,凝固技术国家重点实验室,陕西,西安,710072

2.西北工业大学,凝固技术国家重点实验室,陕西,西安,710072

3.西北工业大学,凝固技术国家重点实验室,陕西,西安,710072

4.西北工业大学,凝固技术国家重点实验室,陕西,西安,710072

5.西北工业大学,凝固技术国家重点实验室,陕西,西安,710072

6.西北工业大学,凝固技术国家重点实验室,陕西,西安,710072

基金项目: 教育部"新世纪人才支持计划"资助项目(NCET-07-0689) 国家自然科学基金资助项目(50872111;50902114)

关键词： CdZnTe , α粒子 , 脉冲响应光谱 , 载流子传输 , 漏电流

Study on the temperature dependent properties of detector-grade CdZnR crystals

采用未经准直能童为5.48MeV的241 Am α粒子,研究了温度在230-300K范围内,不同电场作用下CdZnTe晶体的脉冲响应信号,分析了载流子传输特性随温度变化的规律.对比了室温(298K)以及280K下探测器对241 Am@59.5keVγ射线的响应光谱.同时分析了1500V/cm电场作用下探测器漏电流随温.度的变化规律.研究表明,对于性能优异的CdZnTe晶体,载流子迁移率寿命积随温度变化较小.而对于存在de-trapping(去俘获)缺陷的CdZnTe样品,光生载流子在晶体中的传输会显著减缓,且随温度的降低,其对脉冲波形的影响加剧.而温度降低可以减少提高探测器的能量分辫率.

参考文献

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