MBE生长GaAs(001)薄膜表面的Ostwald熟化过程研究

功能材料, 2013, 44(6): 847-853.

MBE生长GaAs(001)薄膜表面的Ostwald熟化过程研究

王继红 ^1, , 罗子江 ^2, , 周勋 ^3, , 郭祥 ^4, , 周清 ^5, , 刘珂 ^6, , 丁召 ^7,

1.贵州大学理学院,贵州贵阳550025

2.贵州大学理学院,贵州贵阳550025;贵州财经学院教育管理学院,贵州贵阳550004

3.贵州大学理学院,贵州贵阳550025;贵州师范大学物理与电子科学学院,贵州贵阳550001

4.贵州大学理学院,贵州贵阳550025

5.贵州大学理学院,贵州贵阳550025

6.贵州大学理学院,贵州贵阳550025

7.贵州大学理学院,贵州贵阳550025

基金项目: 贵州省优秀科技教育人才省长专项基金资助项目(黔省专合字(2009)114号) 贵州省留学人员科技资助项目([2010](Z103233)) 国家自然科学基金资助项目(60866001) 贵州省科学技术基金资助项目(黔科合J字[2011]2095号)

关键词： GaAs薄膜 , MBE , RHEED , STM , 熟化

The research on ostwald ripen process of GaAs (001) films by MBE growth

采用带有RHEED的MBE技术,利用RHEED图像演变实时监控薄膜生长状况,通过RHEED强度振荡测算薄膜生长速率,在GaAs (001)基片上同质外延GaAs薄膜.利用STM对MBE生长的GaAs薄膜表面的熟化过程进行了深入研究.研究发现,随着退火时间的延长,刚完成生长的GaAs表面从具有大量岛和坑的粗糙表面逐渐熟化,在熟化过程中岛不断合并扩大并与平台结合,而坑却逐渐消失.指出当熟化过程完成后GaAs表面将进入原子级平坦状态,并详细解释了熟化过程GaAs表面各种形貌特征形成的内在原因.

参考文献

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