不同晶态比条件下氢化纳米硅薄膜光学性质的研究

功能材料, 2010, 41(z1): 76-79.

不同晶态比条件下氢化纳米硅薄膜光学性质的研究

郭立强 ^1, , 丁建宁 ^2, , 杨继昌 ^3, , 程广贵 ^4, , 凌智勇 ^5, , 董玉忠 ^6,

1.江苏大学,微纳米科学技术研究中心,江苏,镇江,212013

2.江苏大学,微纳米科学技术研究中心,江苏,镇江,212013;江苏工业学院,低维材料微纳器件与系统研究中心,江苏,常州,213164;常州市新能源重点实验室,江苏,常州,213164

3.江苏大学,微纳米科学技术研究中心,江苏,镇江,212013

4.江苏大学,微纳米科学技术研究中心,江苏,镇江,212013

5.江苏大学,微纳米科学技术研究中心,江苏,镇江,212013

6.江苏大学,微纳米科学技术研究中心,江苏,镇江,212013

基金项目: 常州市科技平台专项资助项目(CM2008301) "青蓝工程"资助项目(2008-04) 常州市工业科技攻关专项资助项目(CE2008014) 江苏省科技支撑计划(BE20080030)

关键词：直流负偏压 , 消光系数 , 透射光谱 , 氢化纳米硅薄膜

Optical properties study on hydrogenated nanocrystalline silicon films with different crystalline volume fractions

利用等离子体化学气相沉积系统,在射频源和直流负偏压源的双重激励下,保持射频功率、反应室气压、衬底温度、硅烷与氢气混合比以及总流量不变,改变直流负偏压从50～250V,在康宁7059玻璃衬底上制备了本征氢化纳米硅薄膜.利用拉曼散射仪表征了不同直流负偏压条件下薄膜微结构特征;利用Shmadzu UV-2450型光谱仪测试了薄膜样品透射图谱.研究发现提高直流负偏压将导致晶态比、沉积速率发生变化.薄膜的光吸收系数和消光系数随波长增加呈下降趋势;不同晶态比薄膜的悬挂键和有效载流子浓度、致密程度、键畸变程度和悬挂键数目的差异,致使晶态比增加,薄膜的吸收系数、消光系数在波长为400nm附近依次增加,光学带隙值从1.96eV减小到1.66eV.

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