光学浮区法生长掺锗氧化镓单晶及其性质研究

人工晶体学报, 2016, 45(6): 1440-1444.

光学浮区法生长掺锗氧化镓单晶及其性质研究

吴庆辉 ^1, , 唐慧丽 ^2, , 苏良碧 ^3, , 罗平 ^4, , 钱小波 ^5, , 吴锋 ^6, , 徐军 ^7,

1.中国科学院上海硅酸盐研究所,上海,201800

2.同济大学物理科学与工程学院,上海200092;上海蓝宝石单晶工程技术研究中心,上海201800

3.中国科学院上海硅酸盐研究所,上海,201800

4.同济大学物理科学与工程学院,上海200092;上海蓝宝石单晶工程技术研究中心,上海201800

5.中国科学院上海硅酸盐研究所,上海,201800

6.同济大学物理科学与工程学院,上海200092;上海蓝宝石单晶工程技术研究中心,上海201800

7.同济大学物理科学与工程学院,上海200092;上海蓝宝石单晶工程技术研究中心,上海201800

基金项目: 上海蓝宝石单晶工程技术研究中心(筹)(14DZ2252500) 上海科委科技攻关(13521102700) 国家自然科学基金(91333106)

关键词： Ge∶β-Ga2O3单晶 , 晶体生长 , 光学浮区法 , 电导率

Study on Growth and Properties of Ge∶β-Ga2O3 Single Crystal by Optical Floating Zone Method

Keywords： Ge∶β-Ga2O3 single crystal , crystal growth , optical floating zone method , conductivity

采用光学浮区法生长了尺寸φ8mm×40 mm的Ge∶β-Ga2O3单晶.XRD物相分析表明Ge∶β-Ga2O3单晶仍属于单斜晶系.为对其内部缺陷进行表征,进行了腐蚀实验,在光学显微镜下观察到缺陷密度为6×104/cm2.光学测试表明,与纯单晶相比,Ge∶β-Ga2O3单晶在红外波段存在明显吸收,只有位于蓝光区域的两个荧光峰,抑制了紫外与绿光波段的发光.电学性能测试得出,Ge∶β-Ga2O3单晶的电导率在10-3量级,说明掺杂Ge4+对β-Ga2O3单晶的电学性能的确有改善.

参考文献

[1]	Tadatsugu Minami.New n-Type Transparent Conducting Oxides[J].MRS bulletin,20008(8):38-44.
[2]	Naoyuki Ueda;Hideo Hosono;Ryuta Waseda.Anisotropy of electrical and optical properties in β-Ga↓(2)O↓(3) single crystals[J].Applied physics letters,19975/8(5/8):933-935.
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