采用磁控溅射工艺,以纯钨和纯镍为靶材在ITO玻璃上制备Ni掺杂WOx电致变色薄膜,研究了Ni掺杂对WOx薄膜电致变色性能和微观结构的影响机理.实验结果表明:均匀掺杂少量的Ni可改变WOx薄膜内部的缺陷分布及结构,提高薄膜的电致变色性能.XRD分析表明,掺杂后的WOx:Ni薄膜为非晶态;XPS分析表明:WOx:Ni薄膜中的Ni为Ni2+.
参考文献
| [1] | 代富平,吕淑媛,冯博学,蒋生蕊,陈冲.非晶态WO3薄膜电致变色特性的研究[J].物理学报,2003(04):1003-1008. |
| [2] | 范志新,潘良玉,何良明.三氧化钨电致变色薄膜最佳掺杂含量的理论计算[J].光学学报,2002(11):1303-1306. |
| [3] | 黄佳木,施萍萍,吕佳.WOx：Mo薄膜的结构及电致变色性能研究[J].硅酸盐学报,2004(05):580-584,589. |
| [4] | 丘思畴;黄汉尧 .电致变色材料及应用[J].功能材料,1994,25(02):104-110. |
| [5] | 孔令英 .影响磁控溅射膜质量的工艺因素[J].半导体技术,1997,10(05):21-23. |
| [6] | CRANDALL R S;FAUGHMAN B W .Dynamics of Coloration of Amorphous Eleetroehromic Films WO3at Low Voltages[J].Applied Physics Letters,1976,28(02):95-97. |
| [7] | Gunnar A.Niklasson .Eleetrochromic Tungsten:The Role of Defect[J].Solar Energy Materials,2004,84(06):315-328. |
| [8] | Noh W.;Shin Y.;Kim J.;Lee W.;Hong K.;Akbar SA.;Park J. .Effects of NiO addition in WO3-based gas sensors prepared by thick film process[J].Solid state ionics,2002(Pt.A):827-832. |
| [9] | Faughan B W .Electrochromism in WO3 amorphous films[J].RCA Review,1975,36(01):177-197. |
| [10] | PROQUERAS I;BERTRAN E .Optical Properties of Li+ Doped Electroehromic WO3 Thin Films[J].Thin Solid Films,2000,8(13):377-378. |
| [11] | 徐恒钧.材料科学基础[M].北京:北京工业大学出版社,2001 |
| [12] | 陈士元;史月艳 等.结晶态WO3膜电致变色性能及机理[J].真空科学与技术,1997,17(04):219-212. |
| [13] | 吴广明;吴永刚 等.一种性能可调的新型节能材料-电致变色膜[J].材料科学与工程,1996,14(03):11-17. |
| [14] | 林坚,林永钟.混合氧化物掺杂电致变色[J].光子学报,2001(03):364-368. |
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