用磁控溅射的方法在40Cr钢的表面制得了SiC薄膜.通过X射线衍射、傅里叶红外光谱分析、摩擦磨损以及划痕试验研究了工艺参数、溅射方式对薄膜性能的影响.结果表明:室温下,用磁控溅射法制备的SiC薄膜具有非晶态结构;傅立叶红外光谱证实了薄膜中除了Si-C键的存在外还有大量的Si-Si键;在相同的工艺参数下用射频溅射法制备的薄膜表面更为光滑致密,与基体结合更好;采用射频溅射法,在功率200W,时间为2h,工作气压为0.1Pa条件下制备的SiC薄膜性能最佳.
参考文献
| [1] | 李亚平,安霞,薛成山.碳化硅薄膜生长技术的研究进展[J].山东师范大学学报（自然科学版）,2004(02):37-40. |
| [2] | 王新华.非晶态和纳米晶碳化硅薄膜的制备及力学性能[J].真空科学与技术学报,2004(03):173-176,190. |
| [3] | 姚寿山;李戈扬;胡文彬.表面科学与技术[M].北京:机械工业出版社,2005 |
| [4] | Matthey E T .[J].Surface and Coatings Technology,2003,354(12):238-244. |
上一张
下一张
上一张
下一张
计量
- 下载量()
- 访问量()
文章评分
- 您的评分：
-
10%
-
20%
-
30%
-
40%
-
50%